Micron, kullanıcıların 8GB DDR4 tabanlı ürünlerin önceki nesillerine kıyasla güç tüketiminde yaklaşık yüzde 40’lık bir düşüş beklediklerini, bu sayede yapay zeka, 5G, otonom araçlar, mobil cihazlar, ağ altyapısı, grafik ve oyun için cazip bir seçenek haline getirebileceklerini söyledi. uygulamalar.
Micron bu hafta 1Z nanometre üretim sürecinde 16 Gb DDR4 ürünlerinin seri üretimine başladı.
İlerlemenin duyurulmasında Micron, 1Z nm 16Gb DDR4 ürününün büyük ölçüde daha yüksek bit yoğunluğu yanı sıra performans geliştirmelerini ve önceki nesil 1Y nm düğümüne kıyasla daha düşük bir maliyet sunduğunu söyledi.
1X, 1Y ve 1Z, sırasıyla birinci, ikinci ve üçüncü nesil 10 nm sınıfı işlemleri belirten bellek endüstrisinde standart adlandırmadır.
Guru3D’nin vurguladığı gibi 1X, 19 ila 17 nm anlamına gelebilir, 1Y, 16 ila 14 nm’ye ve 1Z, 13 ila 10 nm’ye dayanabilir.
Micron Technology’nin teknoloji geliştirme başkan yardımcısı Scott DeBoer, Endüstrinin en küçük özellik boyutundaki DRAM düğümünün geliştirilmesi ve seri üretimi, özellikle DRAM ölçeklemesinin son derece önemli olduğu bir zamanda, Micron’un dünya standartlarında mühendislik ve üretim yeteneklerinin kanıtıdır. kompleksi.
Bellek üreticisi ayrıca, daha fazla pil ömrü için daha düşük güç gereksinimi olan daha küçük paketler arayan mobil aygıt üreticileri için UFS tabanlı multichip paketlerinde uMCP4 16Gb düşük güçlü çift veri hızı 4X LPDDR4X DRAM’i bir cihaza sattığını da açıkladı.
Samsung Mart ayında açıklanacak olan 1Z-nm 8Gb DDR4 2020 yılında fırlatılması planlanan üst düzey bilgisayarları ve kurumsal sunucularını barındırmak için yılın ikinci yarısında seri üretim giren olacaktır.
